Praha, 7 m. sausio 2014 d – Pasaulinė atminties technologijų ir gamybos lyderė Samsung pristatė pirmąjį 8Gb mobilioji atmintis DRAM s mažas energijos suvartojimas LPDDR4 (mažos galios dviguba duomenų perdavimo sparta 4).
"Ši naujos kartos LPDDR4 DRAM reikšmingai prisidės prie spartesnio pasaulinės mobiliųjų DRAM rinkos augimo, kuri netrukus užims didžiausią visos DRAM rinkos dalį.“, – sakė „Samsung Electronics“ atminties skyriaus verslo ir rinkodaros vykdomoji viceprezidentė Young-Hyun May. “Visada sieksime būti vienu žingsniu priekyje kitų gamintojų ir toliau pristatysime pažangiausius mobiliuosius DRAM, kad pasauliniai gamintojai galėtų pristatyti naujus mobiliuosius įrenginius per trumpiausią įmanomą laiką.“, - pridūrė Young-Hyun May.
Dėl savo funkcijų, tokių kaip didesnis atminties tankis, didelis našumas ir energijos vartojimo efektyvumas, Samsung DRAM LPDDR4 mobiliosios atmintis leis galutiniams vartotojams naudotis pažengęs aplikacijos greitesnės ir sklandesnės ir taip pat mėgautis didesnė raiška ekranas naudojant mažiau baterijos.
Gaminamos naujos 4Gb talpos Samsung DRAM LPDDR8 mobiliosios atminties 20nm gamybos technologija ir siūlo 1 GB talpą viename luste, o tai šiuo metu yra didžiausias DRAM atminties tankis. Su keturiais lustais, kurių kiekvieno talpa yra 8 Gb, viename korpuse bus 4 GB LPDDR4 – aukščiausio lygio našumas.
Be to, LPDDR4 naudoja žemą įtampą Žemos įtampos svyravimo nutraukta logika (LVSTL) I/O sąsaja, kurį „Samsung“ iš pradžių sukūrė JEDEC. Naujieji lustai pasiekia perdavimo greitį iki 3 Mbps, kuris yra dvigubai didesnis nei šiuo metu gaminamų LPDDR3 DRAM. Tačiau tuo pačiu sunaudoja maždaug 40 % mažiau energijos esant 1,1 V įtampai.
Su naujuoju lustu „Samsung“ planuoja sutelkti dėmesį ne tik į aukščiausios kokybės mobiliųjų telefonų rinką, įskaitant UHD išmanieji telefonai su dideliu ekranu, bet ir įjungtu tabletės a itin ploni nešiojamieji kompiuteriai, kurių ekranas yra keturis kartus didesnis nei „Full-HD“ raiška, taip pat aukšta galingos tinklo sistemos.
„Samsung“ yra pirmaujanti mobiliųjų DRAM technologijų kūrėja ir mobiliųjų DRAM su 4Gb ir 6Gb LPDDR3 rinkos dalies lyderė. Bendrovė lapkričio mėnesį pradėjo siūlyti ploniausią ir mažiausią 3 GB LPDDR3 (6 Gb), o 8 m. pristato naują 4 Gb LPDDR2014 DRAM. 8 Gb mobiliojo DRAM lustas labai greitai plėsis naujos kartos mobiliųjų įrenginių rinkoje, naudodamas didelės talpos DRAM lustus.
