„Samsung“ ir „Qualcomm“ paskelbė apie dar vieną mikroschemų rinkinį, kuris bus kelių naujų telefonų širdis. Tai Snapdragon 835 ir pagamintas naudojant 10 nm FinFET technologiją. Remiantis iš Kinijos gauta informacija, procesorius pasiūlys aštuonis branduolius, o ne keturis. Taigi „Snapdragon 835“ bus tikras geluonis.
Grafikos apdorojimu pasirūpins Adreno 540 lustas, SoC su UFS 2.1 technologijos palaikymu ir kt. Universal Storage Flash 2.1 siūlo reikšmingų patobulinimų, palyginti su ankstesnėmis versijomis, užtikrina geresnę apsaugą ir dar daugiau. Matyt, tai bus pirmasis modelis, kuris gaus naują procesorių Galaxy S8, kuris turėtų pasirodyti kitų metų pirmoje pusėje.
Taip pat reikėtų pažymėti, kad dokumente kalbama apie kitą nepaskelbtą „Qualcomm“ mikroschemų rinkinį, kurio turėtume tikėtis 2 m. antrąjį ketvirtį. „Snapdragon 2017“ bus su aštuoniais branduoliais, „Adreno 660 GPU“ ir UFS 512 palaikymu. Tačiau „Snapdragon 2.1“ bus gaminamas naudojant 660 nm, o ne 14 nm procesą.
Šaltinis: Phonearena
