„Samsung Electronics“ paskelbė, kad pradėjo masinę pažangiausių 4 GB DDR8 atminties modulių gamybą kartu su pirmaisiais 32 GB DDR4 RAM moduliais įmonių serveriams. Šios naujos RAM yra pagamintos naudojant naują 20 nm gamybos procesą, kuris yra tas pats procesas, naudojamas gaminant net pažangiausius mobiliuosius procesorius šiandien. „Samsung“ teigia, kad šie atminties moduliai atitinka visus naujos kartos įmonių serverių didelio našumo, didelio tankio ir energijos taupymo reikalavimus.
Be to, su naujais 8Gb DDR4 moduliais „Samsung“ užbaigė visą DRAM modulių, pagamintų naudojant 20 nm gamybos procesą, asortimentą. Šiandien šią seriją sudaro 6Gb LPDDR3 mobiliesiems įrenginiams ir 4Gb DDR3 moduliai kompiuteriams. Tada, kaip minėta aukščiau, „Samsung“ pradeda gaminti 32 GB RDIMM atminties modulius, kurių perdavimo sparta yra 2 400 Mbps vienam kaiščiui, o tai reiškia 29% didesnį našumą, palyginti su serverio DDR1 atminties 866 3 Mbps perdavimo sparta. Bet šios technologijos galimybės nesibaigia ties 32 GB, o „Samsung“ teigė, kad naudojant 3D TSV technologiją galima išvystyti iki 128 GB atminties modulį. Naujųjų modulių privalumas yra ir minimas mažesnis suvartojimas, kadangi šiems DDR4 lustams reikia 1,2 volto, o tai šiuo metu yra mažiausia galima įtampa.
//
//
*Šaltinis: "Samsung"
