Uždaryti skelbimą

20nm-4Gb-DDR3-03„Samsung Electronics“ paskelbė, kad ką tik pradėjo masinę naujų 6Gb LPDDR3 RAM modulių, skirtų mobiliesiems įrenginiams, gamybą. Bendrovė gamins naujas operacines atmintis, naudodama 20 nm gamybos procesą, o tai atsispindės 10% mažesniu energijos suvartojimu ir iki 30% didesniu našumu. Kiekvienas šių atminties modulių kontaktas turi 2,133 Mb/s perdavimo greitį.

Lustai taip pat yra 20% mažesni, palyginti su ankstesniais moduliais, jei atsižvelgsime į keturių atminties modulių komplektą vienas šalia kito. Taigi keturių atminties modulių rinkinys gali suteikti telefonui 3 GB RAM, nes kiekvienas atminties modulis suteikia 768 MB atmintį. Čia matyti, kad „Samsung“ tikriausiai dar ilgiau turi pabusti iki aukščiausios klasės 3 GB RAM limito ir tik kada nors kitų metų pabaigoje galėsime pradėti fantazuoti apie tai, kad mūsų mobilusis telefonuose yra tiek pat operacinės atminties, kiek yra mūsų kompiuteriuose.

// 20nm-4Gb-DDR3-01

//

*Šaltinis: Sammyhubas

Šios dienos skaitomiausia

.